＜要旨＞

ローム株式会社（本社：京都市）のSiCパワーデバイス（SiC MOSFET^*1）が、中国・総合車載Tier1メーカー、United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. （以下、UAES社）の電気自動車用オンボードチャージャー（On Board Charger、以下OBC）に採用されました。同OBCは、2020年10月にUAES社から自動車メーカーに提供される予定です。

SiCパワーデバイスは、IGBT^*2などのSi（シリコン）パワーデバイスに比べて、劇的な低損失化を実現できる半導体として、電気自動車をはじめ、インフラ、環境・エネルギー、産業機器分野で採用が進んでいます。
ロームは、2010年に世界で初めてSiC MOSFETの量産を開始するなど、SiCパワーデバイスのリーディングカンパニーとして世界最先端の開発を進めてきました。また、自動車分野では、2012年に業界に先駆けて車載対応製品の提供を開始しており、電気自動車の急速充電用オンボードチャージャーで高いシェアを誇り、電気自動車のモータやインバータでの採用も加速しています。

今回、ロームのSiC MOSFETが、UAES 社のOBCに採用されたことで、従来のOBCに比べて、ユニットとして1%の高効率化（効率95.7%達成、従来から電力損失を約20%削減）に貢献しています。また、この先進的なソリューションは、UAES社から「2019年最優秀技術進歩賞」を受賞しています。
ロームは、今後もSiCパワーデバイスのリーディングカンパニーとしてラインアップを強化するとともに、デバイス性能を最大限に引き出す制御ICなど周辺デバイスやモジュール化の技術を組み合わせ、次世代自動車の技術革新に貢献するパワーソリューションを提供していきます。

＜United Automotive Electronic Systems Co., Ltd.（UAES）について＞

UAESは、Robert Boschと中聯汽車電子（上海汽車系の中国企業）との合弁企業である総合車載Tier1メーカーです。1995年の創業以来、エンジンコントロールユニット他、ガソリン車向けパワートレイン事業にて、中国市場で非常に高いシェアを獲得しており、2009年以降は主機インバータをはじめ、電動車向けアプリケーション開発にも注力しています。
詳細は下記URL（簡体字）をご覧ください。

http://www.uaes.com/servlet/portal/index.html

＜SiC MOSFETを採用するメリット＞

大電力（高電圧×大電流）領域において、SiC MOSFETはSi-IGBTと比較して「スイッチング損失・導通損失*3が少ない」「温度変化に強い」などの利点があります。これらの利点により、電気自動車のオンボードチャージャーやDC/DCコンバータなどで採用された場合、電力変換時の低損失化、放熱用部品の小型化、高周波動作によるコイルの小型化などを実現し、アプリケーションの高効率化や部品点数削減・実装面積削減に貢献することができます。

＜ロームのSiCパワーデバイス開発の歴史＞

＜用語説明＞

*1) MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistorの略）

金属－酸化物－半導体電界効果トランジスタのことで、FETの中では最も一般的に使用されている構造である。スイッチング素子として使われる。

*2) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）

MOSFET の高速スイッチング特性とバイポーラ・トランジスタの低導通損失特性を併せ持ったパワートランジスタのこと。

*3) 導通損失、スイッチング損失

MOSFETやIGBTなどトランジスタではデバイス構造上、使用時に損失が生じてしまう。導通損失は、デバイスに電流が流れる際（ON状態時）に、デバイスの抵抗成分によって発生する損失。スイッチング損失は、デバイスの通電状態を切り替える（スイッチング動作時）際に発生する損失。