プレスリリース

2015年12月7日

高輝度の垂直構造型LED製造に最適な、ディスコ独自のレーザリフトオフを開発
テスト加工の受け付けを開始

株式会社ディスコ（本社：東京都大田区、社長：関家一馬）は、従来と比較し、装置メンテナンス時間の削減と、加工品質の安定化を実現したディスコ独自のレーザリフトオフ（LLO）^※1を開発しました。これにより高輝度の垂直構造型LED（V-LED）^※2の、高歩留まり・低ランニングコストでの生産に貢献する他、今後進展する各種デバイスの極薄・極小化に対応するチップ分割（ダイシング）を可能にします。
本LLOに対応するフルオートマチックレーザソー「DFL7560L」をSEMICON Japan 2015（12/16-18 東京ビッグサイト）にて展示します。

※1 レーザリフトオフ：基板上に形成された材料層に対してレーザを照射し、基板から材料層を剥離すること ※2 垂直構造型LED(V-LED)と水平構造型LED（右図参照）

開発の背景

自動車のヘッドランプや殺菌用の紫外線照射器などで採用が進むV-LEDは、サファイア基板の剥離プロセスでLLOが用いられています。従来のガスレーザによるLLOでは頻繁なメンテナンスが必要とされ、加工品質においても改善が求められていました。これらのニーズに応えるため、固体レーザと独自の光学系を採用したLLO、及びその対応機種DFL7560Lを開発しました。
	DFL7560L

特徴

固体レーザの採用により、従来のガスレーザを搭載した装置と比較し、大幅なメンテナンス時間削減（消耗品交換及び光軸調整の頻度低減）と加工品質の安定化を実現し、生産性向上に貢献します。 独自の光学系の採用により、広い焦点範囲を最適なパワーで加工できるため、ウェーハダメージや剥離不良を抑制します。また、剥離面の面粗さも従来比で1/3程度となります。
	加工の様子 （映像はウェブ掲載用に編集しています）

適用プロセス例

1. V-LEDのサファイア基板剥離^※3
   輝度向上と発熱対策を目的として、発光層を放熱性の高い導電性基板へ貼り替えます。その際のサファイア基板を剥離するプロセスでLLOが用いられています。これにより、従来のLLOと比較し、発光層へのダメージや剥離不良の抑制、剥離面の面粗さを改善することによる輝度向上が可能になります。

   V-LEDのプロセス例



2. パワーデバイス（Si、SiC、GaN等）など、裏面金属膜付き極薄ウェーハのチップ分割
   パワーデバイスは性能向上のためにチップの薄化が求められています。しかし、パワーデバイスはウェーハ裏面に金属膜が形成されており、数十μm以下まで研削すると膜の応力でウェーハ反りが発生し、その後のプロセス処理を困難にしています。
   

   ウェーハ反りの発生

   この反りを矯正するためには、ガラス等の基板にウェーハを貼り付けるプロセスが効果的ですが、従来のLLOではレーザによる熱影響でテープ歪みが発生するため、テープ転写のプロセス適応が困難でした。これに対し、ディスコのLLOはレーザパワーを最適化することで熱の発生を抑制できるため、テープ転写が可能になり、極薄チップの基板からの剥離が実現します。
   

   極薄パワーデバイスのプロセス例

   これにより、20μm以下の極薄ウェーハにおいてもチップ分割が可能になります。
   本プロセスはパワーデバイスの他に、モバイル向けなど低背化ニーズがある各種デバイスへの展開も期待できます。（特許出願中）

本社R&Dセンター、及びDISCO HI-TEC TAIWAN CO., LTD.にDFL7560Lを設置し、V-LED以外のデバイス・素材の試作品加工、テストカットを受け付けています。

※３特許に関する注意事項LED向けにレーザリフトオフを実施する場合、日本国特許第4285776号および本特許の外国対応特許、 US6071795及びUS6420242に抵触する恐れがありますので、ご注意ください。

お問い合わせ先
株式会社ディスコ
経営支援室 広報チーム
Phone: 03-4590-1090