ニュースリリース内容の訂正について

2016年12月8日

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構
理事長 古川一夫

2016年12月5日に発表いたしましたニュースリリース、「新たな原理のトランジスタを用いたLSIの動作実証に成功―超低消費電力LSIの実用化に期待―」について、リリース文中の内容に以下のとおり誤りがございました。お詫びして、訂正させていただきます。

訂正したリリース：

• 新たな原理のトランジスタを用いたLSIの動作実証に成功

（誤）	（正）
【サマリー】 NEDOプロジェクトの成果をもとに、産業技術総合研究所は0.2～0.3Vの超低消費電力で駆動が期待できる新たな原理のトランジスタを用いたLSIの動作実証に成功しました。	NEDOプロジェクトの成果をもとに、産業技術総合研究所は0.2～0.3Vの低電圧での駆動による超低消費電力動作が期待できる新たな原理のトランジスタを用いたLSIの動作実証に成功しました。
【1．概要】 今般、その成果をもとに、産業技術総合研究所は0.2～0.3Vの超低消費電力で駆動が期待できる新たな原理のトランジスタを用いたLSIの動作実証に成功しました。	今般、その成果をもとに、産業技術総合研究所は0.2～0.3Vの低電圧での駆動による超低消費電力動作が期待できる新たな原理のトランジスタを用いたLSIの動作実証に成功しました。
【2．今回の成果】 トンネルFETは、0.2～0.3Vの超低消費電力での駆動および高い動作周波数での使用が期待されているトンネル効果を利用したトランジスタですが、	トンネルFETは、0.2～0.3Vの低電圧での駆動および高い動作周波数での使用が期待されているトンネル効果を利用したトランジスタですが、

問い合わせ先

NEDO 広報部 担当：藤本、髙津佐、坂本 TEL：044-520-5151 E-mail：nedo_press@ml.nedo.go.jp